Tin tức

Thiết bị eGaN thế hệ thứ bảy mang lại hiệu suất tốt hơn tới 3 lần so với MOSFET silicon

Bộ chuyển đổi năng lượng hiệu quả (EPC) đã bắt đầu sản xuất số lượng lớn EPC2366, sản phẩm đầu tiên trong dòng bóng bán dẫn điện eGaN thế hệ thứ bảy (Gen7).

Nền tảng thế hệ thứ bảy này mang đến công nghệ tiên tiến mới về hiệu suất bóng bán dẫn.Thiết bị này mang lại hiệu suất tốt hơn tới 3 lần so với MOSFET silicon tương đương.Với RDS(bật) điển hình là 0,84mΩ và RDS(bật) × QG FoM được tối ưu hóa cao <12mΩ*nC, it simultaneously cuts conduction and switching losses while enhancing thermal performance. Engineered for high-efficiency, high-density power systems, the device excels in synchronous rectification, high-density DC-DC conversion, AI server power supplies, and advanced motor drives.

Nó hỗ trợ điện áp xả tới nguồn lên đến 40V và điện áp nhất thời lên đến 48V, với dòng xả liên tục lên đến 88A và dòng xung 360A, khiến nó trở nên lý tưởng cho các hệ thống điện đòi hỏi khắt khe nhất.

Thiết bị được tối ưu hóa về mặt nhiệt cho mật độ năng lượng cao nhờ gói PQFN nhỏ 3,3mm × 2,6mm với khả năng chịu nhiệt từ điểm nối đến vỏ là 0,6C/W.

Theo Alex Lidow, Giám đốc điều hành và đồng sáng lập của EPC: "Chúng tôi đã phát triển nền tảng GaN thế hệ thứ bảy nhằm tạo ra công nghệ tiên tiến mới về hiệu suất bóng bán dẫn điện. 40V, EPC2366, là sản phẩm đầu tiên trong dòng này được đưa vào sản xuất hàng loạt. Tuy nhiên, EPC hiện đang lấy mẫu các bóng bán dẫn 25V và 15V thế hệ thứ bảy và dự kiến ​​sẽ có nhiều chuyển đổi sản xuất hàng loạt hơn trong nửa đầu năm 2026."

Để tăng tốc quá trình thiết kế và đánh giá, công ty cũng cung cấp bo mạch đánh giá nửa cầu EPC90167, tích hợp hai bóng bán dẫn EPC2366 theo bố cục ít ký sinh với sự hỗ trợ cho tín hiệu điều khiển động cơ điện tử tiêu chuẩn và chế độ đầu vào linh hoạt, cung cấp cho các kỹ sư một nền tảng tham chiếu để đánh giá hiệu suất trong các ứng dụng trong thế giới thực.