東芝電子歐洲有限公司 (Toshiba Electronics Europe GmbH) 在 DTMOSVI 600V 系列中加入了 DTMOSVI 600V HSD（高速二極體）N 通道功率 MOSFET，具有超級接面結構。這七款新產品採用 TO-247、TOLL 和 DFN8×8 封裝，為工程師提供了平衡功率處理、熱性能、開關效率和系統小型化能力的選項，以滿足不同的應用需求。TK058V60Z5 是一個亮點產品，它採用 DFN8×8 封裝，具有 0.05Ω（典型值）的超低漏源導通電阻 (RDS(ON))。應用包括用於資料中心伺服器的 SMPS、UPS 和光伏電源調節器。

新產品採用壽命控制技術，有意在二極體中引入缺陷，以提高載子複合速度。該技術提高了體二極體的反向恢復性能，這是電橋和逆變器電路應用的關鍵要求。與該公司現有的未內建高速恢復二極體的DTMOSVI 600V系列相比，反向恢復時間（trr）減少了約60%，反向恢復電荷（Qrr）減少了約85%（測量條件：VDD=400V、VGS=0V、IDR=20A、-dIDR/dt=100A/μs、TaTa=C）。

在包括新產品在內的該系列中，與具有相同額定電壓的上一代 DTMOSIV-H 系列相比，該公司優化的閘極設計和製程將 FoM 汲極到源極導通電阻 (RDS(ON)) 乘以總閘極電荷 (Qg) 降低了約 36%，將 RDS(ON) 乘以總閘極電荷 (Qg) 降低了約 36%，將 RDS(ON) 乘以總閘極電荷 (Qgd2%)。因此，傳導、驅動和開關損耗都會減少，有助於提高電源電路的效率。

該公司提供支援開關電源電路設計的工具。除了可快速驗證電路功能的 G0 SPICE 模型外，高精度 G2 SPICE 模型 現在可以再現瞬態特性。其 線上電路模擬器 允許工程師驗證電路操作，而無需建構仿真環境和下載元件模型的麻煩。

該公司將繼續擴大其DTMOSVI系列產品陣容，以提高工業設備開關模式電源的效率，旨在實現碳中和。

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