Toshiba Electronics Europe GmbH has added the DTMOSVI 600V HSD (High-Speed Diode) N-channel power MOSFETs to the DTMOSVI 600V Series, featuring a super junction structure.The seven new products are available in TO-247, TOLL, and DFN8×8 packages, providing engineers with options that balance power handling, thermal performance, switching efficiency, and system miniaturisation capabilities for diverse application needs.製品のハイライトは、DFN8×8 パッケージで 0.05Ω (typ.) という超低ドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(ON)) を達成した TK058V60Z5 です。用途としては、データセンターサーバー用SMPS、UPS、太陽光発電パワーコンディショナーなどが挙げられます。
The new products employ lifetime control technology, which intentionally introduces defects into the diode to enhance carrier recombination speed.この技術により、ブリッジおよびインバータ回路アプリケーションの重要な要件であるボディ ダイオードの逆回復性能が向上します。Compared to the company's existing DTMOSVI 600V series without a built-in high-speed recovery diode, the reverse recovery time (trr) has been reduced by approximately 60%, and the reverse recovery charge (Qrr) by approximately 85% (measurement conditions: VDD=400V, VGS=0V, IDR=20A, -dIDR/dt= 100 A/μs, Ta=25C).
In the series, including the new products, the company's optimised gate design and process reduce the FoM drain-to-source on-resistance (RDS(ON)) times total gate charge (Qg) by approximately 36%, and RDS(ON) times the gate-to-drain charge (Qgd) by approximately 52% compared to its previous generation, the DTMOSIV-H series with the same voltage rating.その結果、導通損失、駆動損失、スイッチング損失が低減され、電源回路の高効率化に貢献します。
同社はスイッチング電源の回路設計を支援するツールを提供している。回路の機能を迅速に検証する G0 SPICE モデルと合わせて、高精度 G2 SPICE モデル 過渡特性を再現した製品も登場。それ オンライン回路シミュレータ エンジニアは、シミュレーション環境の構築や要素モデルのダウンロードの手間をかけずに、回路の動作を検証できます。
The company will continue expanding its DTMOSVI series lineup to improve the efficiency of switched-mode power supplies for industrial equipment, aiming to achieve carbon neutrality.
詳細については、次の Web サイトのリンクを参照してください。 TK034N60Z5、 TK055N60Z5、 TK073N60Z5、 TK055U60Z5、 TK073U60Z5、 TK077V60Z5、 TK058V60Z5